|
รายละเอียดสินค้า:
|
| จำนวนรุ่น:: | AP2308GEN | เงื่อนไข:: | ใหม่และเป็นต้นฉบับ |
|---|---|---|---|
| ประเภท:: | ขับ IC | การประยุกต์ใช้:: | ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์ |
| กระแสตรง:: | ใหม่ | แผ่นข้อมูล:: | กรุณาติดต่อเรา |
| แสงสูง: | SOT-23 ทรานซิสเตอร์มอสเฟตพาวเวอร์,3.6A ทรานซิสเตอร์มอสเฟตพาวเวอร์,ทรานซิสเตอร์มอสเฟต 0.69 วัตต์ |
||
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ AP2308GEN SOT-23 ราคาที่ได้เปรียบสำหรับหุ้นเดิม
คำอธิบาย
Advanced Power MOSFET ใช้เทคนิคการประมวลผลขั้นสูงเพื่อให้ได้อุปกรณ์ที่ทนต่อแรงต้านต่ำที่สุดมีประสิทธิภาพและคุ้มค่าที่สุด
แพคเกจ SOT-23S เป็นที่ต้องการอย่างกว้างขวางสำหรับการใช้งานการยึดพื้นผิวเชิงพาณิชย์ในเชิงพาณิชย์และเหมาะสำหรับการใช้งานแรงดันไฟฟ้าต่ำเช่นตัวแปลง DC / DC
คะแนนสูงสุดที่แน่นอน @ Tญ= 25oC (เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
| สัญลักษณ์ | พารามิเตอร์ | คะแนน | หน่วย |
| VDS | แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งระบายน้ำ | 20 | วี |
| VGS | แรงดันเกต - ซอร์ส | +8 | วี |
| ผมง@ ทก= 25 ℃ | ท่อระบายน้ำปัจจุบัน3, VGS @ 4.5V | 1.2 | ก |
| ผมง@ ทก= 70 ℃ | ท่อระบายน้ำปัจจุบัน3, VGS @ 4.5V | 1 | ก |
| IDM | กระแสไฟเดรนแบบพัลซิ่ง1 | 3.6 | ก |
| ปง@ ทก= 25 ℃ | การสูญเสียพลังงานทั้งหมด | 0.69 | ว |
| TSTG | ช่วงอุณหภูมิการจัดเก็บ | -55 ถึง 150 | ℃ |
| ตเจ | ช่วงอุณหภูมิของทางแยกในการทำงาน | -55 ถึง 150 | ℃ |
ข้อมูลความร้อน
| สัญลักษณ์ | พารามิเตอร์ | มูลค่า | หน่วย |
| Rthj-a | ความต้านทานความร้อนสูงสุด Junction-ambient3 | 180 | ℃ / ต |
AP2308GE
ลักษณะทางไฟฟ้า @ Tญ= 25oC (เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
| สัญลักษณ์ | พารามิเตอร์ | เงื่อนไขการทดสอบ | นาที. | ประเภท | สูงสุด | หน่วย |
| BVDSS | แรงดันพังทลายของ Drain-Source | วีGS= 0V, Iง= 250uA | 20 | - | - | วี |
| RDS (เปิด) | Static Drain-Source On-Resistance2 | วีGS= 4.5V, Iง= 1.2A | - | - | 600 | mΩ |
| วีGS= 2.5V, Iง= 0.3A | - | - | 2 | Ω | ||
| VGS (ธ ) | แรงดันไฟฟ้าเกณฑ์ประตู | วีDS= VGS, ผมง= 250uA | 0.5 | - | 1.25 | วี |
| gfs | ไปข้างหน้า Transconductance | วีDS= 5V, Iง= 1.2A | - | 1 | - | ส |
| IDSS | กระแสไฟรั่วจากแหล่งระบายน้ำ | วีDS= 20V, VGS= 0V | - | - | 1 | uA |
| IGSS | การรั่วไหลของ Gate-Source | วีGS=+8V, โวลต์DS= 0V | - | - | +30 | uA |
| ถามก | ค่าประตูรวม |
ผมง= 1.2AVDS= 16V วีGS= 4.5V |
- | 1.2 | 2 | nC |
| Qgs | เกต - ซอร์สชาร์จ | - | 0.4 | - | nC | |
| Qgd | Gate-Drain ("มิลเลอร์") | - | 0.3 | - | nC | |
| td (เปิด) | เวลาหน่วงเวลาเปิดเครื่อง |
วีDS= 10V Iง= 1.2ARช= 3.3 โอห์ม วีGS= 5V |
- | 17 | - | ns |
| tร | เวลาเพิ่มขึ้น | - | 36 | - | ns | |
| td (ปิด) | ปิด - ปิดเวลาล่าช้า | - | 76 | - | ns | |
| tฉ | เวลาตก | - | 73 | - | ns | |
| ซิส | ความจุอินพุต |
วีGS= 0V .Vงส= 10V f = 1.0MHz |
- | 37 | 60 | pF |
| คอส | ความจุเอาท์พุท | - | 17 | - | pF | |
| Crss | ความจุโอนย้อนกลับ | - | 13 | - | pF |
แหล่งที่มา - ไดโอดเดรน
| สัญลักษณ์ | พารามิเตอร์ | เงื่อนไขการทดสอบ | นาที. | ประเภท | สูงสุด | หน่วย |
| VSD | ส่งต่อแรงดันไฟฟ้า2 | ผมส= 1.2A, โวลต์GS= 0V | - | - | 1.2 | วี |
หมายเหตุ:
1. ความกว้างพัลส์ถูก จำกัด โดยสูงสุดอุณหภูมิทางแยก
2. การทดสอบพัลส์
3. พื้นผิวติดตั้งบน 1 นิ้ว2 แผ่นทองแดงของบอร์ด FR4, t <10 วินาที;400 ℃ / W เมื่อติดตั้งขั้นต่ำแผ่นทองแดง
รายการ: AP2308GEN ใหม่
หมายเลขชิ้นส่วน: AP2308GEN
บรรจุภัณฑ์: ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์: AP2308GEN
ขอบคุณที่เลือกผลิตภัณฑ์ของเราอย่างมาก
เราจะจัดหาผลิตภัณฑ์ที่มีคุณภาพดีที่สุดและคุ้มค่าที่สุด
เป้าหมายของเราคือเพื่อคุณภาพของผลิตภัณฑ์ที่สมบูรณ์แบบสำหรับธุรกิจที่ยาวนาน
ดังนั้นโปรดมั่นใจในการเลือกโปรดติดต่อเราหากมีคำถามใด ๆ
ผู้ติดต่อ: David
