|
รายละเอียดสินค้า:
|
| ชื่อสินค้า: | ทรานซิสเตอร์พลังงาน Mosfet | ชนิด: | ทรานซิสเตอร์ mosfet |
|---|---|---|---|
| รหัสสินค้า: | VDS: | 40V | |
| สิ่งอำนวยความสะดวก: | แพคเกจติดพื้นผิว | VGS: | ± 20V |
| แสงสูง: | ทรานซิสเตอร์ mosfet n channel,ทรานซิสเตอร์แรงดันสูง |
||
20G04S 40V N + โหมดการปรับปรุง P-Channel MOSFET
ลักษณะ
20G04S ใช้ร่องลึกขั้นสูง
เทคโนโลยีเพื่อมอบ R DS (ON) ที่ ยอดเยี่ยมและการชาร์จประตูต่ำ
MOSFET เสริมอาจใช้ในการสร้าง
ระดับเลื่อนสวิทช์ด้านสูงและสำหรับโฮสต์ของอื่น ๆ
การใช้งาน
คุณสมบัติทั่วไป
N-Channel
V DS = 40V, I D = 20A
R DS (ON) <35mΩ @ V GS = 10V
R DS (ON) <42mΩ @ V GS = 4.5V
P-Channel
V DS = -40V, I D = -18A
R DS (ON) <40mΩ @ V GS = -10V
R DS (ON) <70mΩ @ V GS = -4.5V
พลังงานสูงและความสามารถในการส่งกระแสไฟฟ้า
ซื้อผลิตภัณฑ์ปลอดสารตะกั่ว
แพ็คเกจติดตั้งบนพื้นผิว
ใบสมัคร
●แอปพลิเคชันการสลับพลังงาน
●ฮาร์ดสวิตช์และวงจรความถี่สูง
● Uninterruptible Power Supply
ข้อมูลการทำเครื่องหมายและการสั่งซื้อแพ็คเกจ
ผู้ติดต่อ: David
