บ้าน ผลิตภัณฑ์ซิลิคอนพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์

MMBTA56 NPN ดาร์ลิงตันเพาเวอร์ทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์เปลี่ยนเร็ว NPN

ได้รับการรับรอง
ประเทศจีน Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd รับรอง
ประเทศจีน Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd รับรอง
ความคิดเห็นของลูกค้า
เราร่วมมือกับ Hua Xuan Yang เป็นส่วนใหญ่เนื่องจากความเป็นมืออาชีพของพวกเขากระตือรือร้นที่จะตอบสนองต่อการปรับแต่งของผลิตภัณฑ์ที่เราต้องการการตั้งถิ่นฐานของทุกความต้องการของเราและเหนือสิ่งอื่นใดพวกเขาให้บริการที่มีคุณภาพ

—— —— Jason จากแคนาดา

ภายใต้คำแนะนำของเพื่อนของฉันเรารู้เกี่ยวกับ Hua Xuan Yang ผู้เชี่ยวชาญอาวุโสในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์และชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ซึ่งทำให้เราสามารถลดเวลาอันมีค่าของเราและไม่ต้องลองโรงงานอื่น ๆ

—— —— Викторจากรัสเซีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

MMBTA56 NPN ดาร์ลิงตันเพาเวอร์ทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์เปลี่ยนเร็ว NPN

MMBTA56 NPN ดาร์ลิงตันเพาเวอร์ทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์เปลี่ยนเร็ว NPN
MMBTA56 NPN ดาร์ลิงตันเพาเวอร์ทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์เปลี่ยนเร็ว NPN

ภาพใหญ่ :  MMBTA56 NPN ดาร์ลิงตันเพาเวอร์ทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์เปลี่ยนเร็ว NPN

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: เซินเจิ้นประเทศจีน
ชื่อแบรนด์: Hua Xuan Yang
ได้รับการรับรอง: RoHS、SGS
หมายเลขรุ่น: MMBTA56
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1,000-2,000 ชิ้น
ราคา: Negotiated
รายละเอียดการบรรจุ: ชนิดบรรจุกล่อง
เวลาการส่งมอบ: 1 - 2 สัปดาห์
เงื่อนไขการชำระเงิน: L / CT / T Wester N Union
สามารถในการผลิต: 18,000,000 ชิ้น / ต่อวัน

MMBTA56 NPN ดาร์ลิงตันเพาเวอร์ทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์เปลี่ยนเร็ว NPN

ลักษณะ
อุณหภูมิทางแยก: 150 ℃ การสูญเสียพลังงานของนักสะสม: 225mW
ลักษณะการทำงาน: แอปพลิเคชั่นเครื่องขยายเสียงวัตถุประสงค์ทั่วไป วัสดุ: ซิลิคอน
สะสมปัจจุบัน: 600 mA อุณหภูมิการจัดเก็บ: -55 ~ + 150 ℃
แสงสูง:

ทรานซิสเตอร์สวิตช์ไฟ

,

mosfet ทรานซิสเตอร์พลังงาน

SOT-23 พลาสติกแค็ปซูลทรานซิสเตอร์ MMBTA56 TRANSISTOR (NPN)

คุณลักษณะ

l การประยุกต์ใช้งานเครื่องขยายเสียงวัตถุประสงค์ทั่วไป

การทำเครื่องหมาย: 2GM

คะแนนสูงสุด (ตา = 25 ℃ยกเว้นที่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

สัญลักษณ์ พารามิเตอร์ ราคา หน่วย
V CBO แรงดันไฟฟ้าสะสมฐาน -80 V
V CEO แรงดันไฟฟ้าของนักสะสม - -80 V
V EBO ตัวส่งสัญญาณ - ฐานแรงดัน -4 V
ฉันค สะสมปัจจุบัน -500 mA
หน้า 3 การสูญเสียพลังงานของนักสะสม 225 mW
R ΘJA ความต้านทานความร้อนจากจุดแยกไปยังรอบข้าง 555 ℃ / W
อุณหภูมิทางแยก 150
T stg อุณหภูมิการเก็บรักษา -55 ~ + 150




ลักษณะไฟฟ้า (Ta = 25 ℃เว้นแต่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

พารามิเตอร์ สัญลักษณ์ เงื่อนไขการทดสอบ นาที Typ แม็กซ์ หน่วย
แรงดันพังทลายของ Collector-base V (BR) CBO IC = -100µA, IE = 0 -80 V
แรงดันพังทลายของ Collector-emitter V (BR) ซีอีโอ IC = -1mA, IB = 0 -80 V
แรงดันพังทลายของตัวส่งสัญญาณ V (BR) EBO IE = -100µA, IC = 0 -4 V
กระแสไฟสะสม ICBO VCB = -80V, IE = 0 -0.1
กระแสไฟสะสม ICEO VCE = -60V, IB = 0 -1
แรงดันพังทลายของตัวส่งสัญญาณ IEBO VEB = -4V, IC = 0 -0.1
ได้รับ DC ปัจจุบัน HFE (1) VCE = -1V, IC = -10mA 100 400
HFE (2) VCE = -1V, IC = -100mA 100
แรงดันไฟฟ้าอิ่มตัวสะสม - อีซีแอล VCE (นั่ง) IC = -100mA, IB = -10mA -0.25 V
แรงดันไฟฟ้าฐานตัวส่ง VBE VCE = -1V, IC = -100mA -1.2 V
การเปลี่ยนความถี่ fT VCE = -1V, IC = -100mA, f = 100MHz 50 เมกะเฮิรตซ์



ขนาดของแพ็กเกจ

สัญลักษณ์ ขนาดเป็นมิลลิเมตร ขนาดเป็นนิ้ว
นาที แม็กซ์ นาที แม็กซ์
0.900 1.150 0.035 0.045
A1 0.000 0.100 0.000 0.004
A2 0.900 1.050 0.035 0.041
0.300 0.500 0.012 0.020
0.080 0.150 0.003 0.006
D 2.800 3.000 0.110 0.118
E 1.200 1.400 0.047 0.055
E1 2.250 2.550 0.089 0.100
อี 0.950 TYP 0.037 TYP
e1 1.800 2.000 0.071 0.079
L 0.550 REF 0.022 REF
L1 0.300 0.500 0.012 0.020
θ 0 ° 8 ° 0 ° 8 °

ลักษณะทั่วไป









รายละเอียดการติดต่อ
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

ผู้ติดต่อ: David

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ

ฝากข้อความ

เราจะโทรกลับหาคุณเร็ว ๆ นี้!