|
รายละเอียดสินค้า:
|
| ชื่อสินค้า: | ทรานซิสเตอร์กำลังสูง | V DSS แรงดันระหว่าง Drain และ Source: | 40 V |
|---|---|---|---|
| V GSS แรงดันเกต - แหล่งที่มา: | ± 20 V | TJ อุณหภูมิแยกสูงสุด: | -55 ถึง 175 ° c |
| T STG ช่วงอุณหภูมิการเก็บรักษา: | -55 ถึง 175 ° c | แหล่งที่มาปัจจุบัน - ต่อเนื่อง (Diode ร่างกาย): | 150A |
| แสงสูง: | ลอจิกมอสเฟตแบบลอจิกไดรเวอร์มอสเฟตโดยใช้ทรานซิสเตอร์,mosfet driver using transistor |
||
150A ทรานซิสเตอร์กำลังสูง, 40V N Channel Mos Field Effect ทรานซิสเตอร์
การใช้งานทรานซิสเตอร์กำลังสูง
เทคโนโลยี Power MOSEFET สามารถใช้ได้กับวงจรหลายประเภท แอปพลิเคชันรวมถึง:
คุณสมบัติทรานซิสเตอร์กำลังสูง
40V / 150A
R DS (ON) = 2.4mΩ(typ.)@V GS = 10V
R DS (ON) = 4.2mΩ(typ.)@V GS = 4.5V
ถล่ม 100% ทดสอบ
เชื่อถือได้และทนทาน
มีอุปกรณ์ฮาโลเจนฟรีและอุปกรณ์สีเขียว
(เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS)
การสั่งซื้อและการทำเครื่องหมายข้อมูล
D U V
G023N04 G023N04 G023N04
XYWXXXXXX XYWXXXXXX XYWXXXXXXX
รหัสแพ็คเกจ
D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S
รหัสวันที่
XYMXXXXXX
หมายเหตุ: ผลิตภัณฑ์ที่ปราศจากสารตะกั่วของ HUAYI มีส่วนผสมของการขึ้นรูป / ติดด้วยวัสดุและแผ่นดีบุกเคลือบด้าน 100%
เสร็จประเทศ ซึ่งสอดคล้องกับ RoHS อย่างเต็มที่ ผลิตภัณฑ์ไร้สารตะกั่วของ HUAYI ตอบสนองหรือเกินความต้องการสารตะกั่ว
ments ของ IPC / JEDEC J-STD-020 สำหรับการจำแนกประเภท MSL ที่อุณหภูมิ reflow สูงสุดที่ปราศจากสารตะกั่ว HUAYI กำหนด“ สีเขียว”
หมายถึงไร้สารตะกั่ว (เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS) และปราศจากฮาโลเจน (Br หรือ Cl ไม่เกิน 900ppm โดยน้ำหนักเป็นเนื้อเดียวกัน
วัสดุและผลรวมของ Br และ Cl ไม่เกิน 1,500ppm โดยน้ำหนัก)
HUAYI ขอสงวนสิทธิ์ในการเปลี่ยนแปลงแก้ไขปรับปรุงเพิ่มเติมแก้ไขและปรับปรุงราคานี้
- ยกเลิกและ / หรือไปยังเอกสารนี้ได้ตลอดเวลาโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
คะแนนสูงสุดแน่นอน
ผู้ติดต่อ: David
