P Channel N ทรานซิสเตอร์ชนิด 19P03 DUV กระแสไฟแรงดันสูง

P Channel N ทรานซิสเตอร์ชนิด 19P03 DUV กระแสไฟแรงดันสูง

บทนำ N ประเภททรานซิสเตอร์

เพาเวอร์มอสเฟตเป็นทรานซิสเตอร์ชนิดพิเศษของโลหะออกไซด์ด้านเซมิคอนดักเตอร์ มันถูกออกแบบมาเป็นพิเศษเพื่อจัดการกับพลังระดับสูง MOSFET กำลังงานสร้างขึ้นในการกำหนดค่า V ดังนั้นจึงเรียกว่าเป็น V-MOSFET, VFET สัญลักษณของ N- channel & P- channel MOSFET แสดงในรูปดานลาง

คุณสมบัติทรานซิสเตอร์ประเภท N

-30V / -90A
R DS (ON) = 4.8mΩ (ตัวพิมพ์) @V GS = 10V
R DS (ON) = 6.5mΩ (ตัวพิมพ์) @V GS = 4.5V
ถล่ม 100% ทดสอบ
เชื่อถือได้และทนทาน
อุปกรณ์ไร้สารตะกั่วและสีเขียว
มี (ได้มาตรฐาน RoHS)

การใช้งานทรานซิสเตอร์ประเภท N

การสลับแอปพลิเคชัน

การจัดการพลังงานสำหรับระบบอินเวอร์เตอร์

การสั่งซื้อและการทำเครื่องหมายข้อมูล

DUV
19P03 19P03 19P03
YYXXXJWW G YYXXXJWW G YYXXXJWW G
รหัสแพ็คเกจ
D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S
วัสดุประกอบรหัสวันที่
YYXXX WW G: ปราศจากฮาโลเจน

หมายเหตุ: ผลิตภัณฑ์ที่ปราศจากสารตะกั่วของ HUAYI มีส่วนผสมของการขึ้นรูป / ติดวัสดุและแผ่นเคลือบดีบุก 100%
เสร็จสิ้น Termi-Nation ซึ่งเป็นไปตามมาตรฐานอย่างสมบูรณ์ ผลิตภัณฑ์ไร้สารตะกั่วของ HUAYI ตอบสนองหรือเกินกว่าความเป็นผู้นำ
IPC / JEDEC J-STD-020 ฟรีสำหรับการจำแนกประเภท MSL ที่อุณหภูมิสูงสุดในการรีโฟลว์ปราศจากสารตะกั่ว
HUAYI กำหนด“ สีเขียว” หมายถึงปราศจากสารตะกั่ว (เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS) และปราศจากฮาโลเจน (Br หรือ Cl ไม่เกิน
900ppm โดยน้ำหนักในวัสดุที่เป็นเนื้อเดียวกันและรวมของ Br และ Cl ไม่เกิน 1500ppm โดยน้ำหนัก)
HUAYI ขอสงวนสิทธิ์ในการเปลี่ยนแปลงแก้ไขปรับปรุงเพิ่มเติมและปรับปรุง
การกำหนดล่วงหน้าและ / หรือเอกสารนี้ได้ตลอดเวลาโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

คะแนนสูงสุดแน่นอน

หมายเหตุ: * คะแนนซ้ำ; ความกว้างพัลส์ จำกัด โดยอุณหภูมิสูงสุดของจุดแยก
** ติดตั้งบนบอร์ด FR-4
*** ถูก จำกัด โดย TJ สูงสุดเริ่มต้น TJ = 25 ° C, L = 0.3mH, RG = 25Ω, V GS = 10V

ลักษณะทางไฟฟ้า (Tc = 25 ° C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

ลักษณะไฟฟ้า (ต่อ) (Tc = 25 ° C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

หมายเหตุ: * ทดสอบชีพจร; ความกว้างของพัลส์≤ 300us, รอบการทำงาน≤ 2%