FR301 THRU FR307 โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ Mosfet, Mosfet พลังงานไฟฟ้าแรงสูง

Name: FR301 THRU FR307 โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ Mosfet, Mosfet พลังงานไฟฟ้าแรงสูง
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: FR301 THRU FR307

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

ทรานซิสเตอร์พลังงาน Mosfet
(118)

ทิปพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์
(30)

ซิลิคอนพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์
(19)

Dual Switching Diode
(15)

ทรานซิสเตอร์สนามผลมอส
(29)

Mosfet ช่องทางคู่
(10)

วงจรเรียงกระแสการกู้คืนที่รวดเร็ว
(6)

Power Zener Diode
(6)

วงจรเรียงกระแส Schottky Bridge
(10)

ไดโอดวงจรเรียงกระแสไฟฟ้าแรงสูง
(15)

เซมิคอนดักเตอร์ Triode
(9)

IC ควบคุมแรงดันไฟฟ้า
(14)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

เราร่วมมือกับ Hua Xuan Yang เป็นส่วนใหญ่เนื่องจากความเป็นมืออาชีพของพวกเขากระตือรือร้นที่จะตอบสนองต่อการปรับแต่งของผลิตภัณฑ์ที่เราต้องการการตั้งถิ่นฐานของทุกความต้องการของเราและเหนือสิ่งอื่นใดพวกเขาให้บริการที่มีคุณภาพ

—— —— Jason จากแคนาดา

ภายใต้คำแนะนำของเพื่อนของฉันเรารู้เกี่ยวกับ Hua Xuan Yang ผู้เชี่ยวชาญอาวุโสในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์และชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ซึ่งทำให้เราสามารถลดเวลาอันมีค่าของเราและไม่ต้องลองโรงงานอื่น ๆ

—— —— Викторจากรัสเซีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

FR301 THRU FR307 โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ Mosfet, Mosfet พลังงานไฟฟ้าแรงสูง

ภาพใหญ่ : FR301 THRU FR307 โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ Mosfet, Mosfet พลังงานไฟฟ้าแรงสูง

รายละเอียดสินค้า:

สถานที่กำเนิด:	เซินเจิ้นประเทศจีน
ชื่อแบรนด์:	Hua Xuan Yang
ได้รับการรับรอง:	RoHS、SGS
หมายเลขรุ่น:	FR301 THRU FR307

การชำระเงิน:

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ:	1,000-2,000 ชิ้น
ราคา:	Negotiated
รายละเอียดการบรรจุ:	ชนิดบรรจุกล่อง
เวลาการส่งมอบ:	1 - 2 สัปดาห์
เงื่อนไขการชำระเงิน:	L / CT / T Wester N Union
สามารถในการผลิต:	18,000,000 ชิ้น / ต่อวัน

ติดต่อ

FR301 THRU FR307 โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ Mosfet, Mosfet พลังงานไฟฟ้าแรงสูง

ลักษณะ

ชนิด:	สวิทช์ DIODESOD	ลักษณะการทำงาน:	การรั่วไหลย้อนกลับต่ำ
ขั้ว:	แกนนำชุบ, ประสานได้ต่อ MIL-STD-750,	น้ำหนัก:	0.04 ออนซ์, 1.10 กรัม
รหัสสินค้า:	FR301 THRU FR307	กรณี:	JEDEC DO-41 ตัวพลาสติกขึ้นรูป
แสงสูง:	โหมดเสริมประสิทธิภาพ mosfet , mosfet สองประตู

FR301 THRU FR307 ตัวตรวจจับการกู้คืนอย่างรวดเร็วแรงดันย้อนกลับ - 50 ถึง 1,000 โวลต์กระแสไฟฟ้าไปข้างหน้า - 3.0 แอมแปร์

คุณลักษณะ

บรรจุภัณฑ์พลาสติกบรรจุ Underwriters Laboratory

การจำแนกประเภทความไวไฟ 94V-0

การสลับที่รวดเร็วเพื่อประสิทธิภาพสูง

การรั่วไหลย้อนกลับต่ำ

ความสามารถในการกระชากไปข้างหน้าสูง

การบัดกรีที่อุณหภูมิสูงรับประกัน:

250 C / 10 วินาที, ความยาวของตะกั่ว 0.375” (9.5 มม.),

5 ปอนด์ (2.3kg) ความตึงเครียด

ข้อมูลเชิงกล

กรณี: JEDEC DO-201AD ตัวพลาสติกขึ้นรูป

ขั้ว: แกนนำชุบ, ประสานได้ต่อ MIL-STD-750,

วิธีการ 2026

ขั้ว: แถบสีหมายถึงปลายแคโทด

ตำแหน่งการติดตั้ง: ใด ๆ

น้ำหนัก: 0.04 ออนซ์, 1.10 กรัม

คะแนนสูงสุดและคุณลักษณะทางไฟฟ้า

การจัดอันดับที่อุณหภูมิ 25 C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่นเฟสเดียวครึ่งคลื่น 60Hz โหลดตัวต้านทานหรืออุปนัยสำหรับกระแสโหลด capacitive มาจาก 20%

บันทึก:

1. ย้อนกลับเงื่อนไขการกู้คืน IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A

2. วัดที่ 1MHz และใช้แรงดันย้อนกลับของ 4.0V DC

3. ความต้านทานความร้อนจากจุดแยกไปจนถึงรอบที่ 0.375” (9.5 มม.) ความยาวตะกั่ว PCB mounte

การจัดอันดับและลักษณะของเส้นโค้ง 1N4942 THRU 1N4948

แท็ก:

ผู้ติดต่อ: David

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ

การกู้คืนที่รวดเร็ว Dual Channel Mosfet Rs1a ถึง Rs1m Surface Mount

ชนิด: วงจรเรียงกระแสการกู้คืนที่รวดเร็ว
ลักษณะการทำงาน: สำหรับการติดตั้งที่พื้นผิว
กระแสไฟฟ้า: แถบสีหมายถึงปลายแคโทด
น้ำหนัก: 0.002 ออนซ์, 0.07 กรัม

RS2A THRU RS2M Mosfet ไฟฟ้าคู่, แรงดันสูง Mosfet 0.002 ออนซ์ 0.002 ออนซ์ 0.07 กรัม 0.07 กรัม

ชนิด: วงจรเรียงกระแสการกู้คืนที่รวดเร็ว
ลักษณะการทำงาน: การจำแนกประเภทความไวไฟ 94V-0
ตำแหน่งการติดตั้ง: ใด
น้ำหนัก: 0.002 ออนซ์, 0.07 กรัม

RS3A THRU RS3M Dual Channel Mosfet 250 C / 10 วินาทีที่หน้าจอ

ชนิด: วงจรเรียงกระแสการกู้คืนที่รวดเร็ว
ลักษณะการทำงาน: 250 C / 10 วินาทีที่อาคารผู้โดยสาร
ขั้ว: แกนนำชุบ, ประสานได้ต่อ MIL-STD-750,
น้ำหนัก: 0.003ounce, 0.093grams

กระแส FR301 THRU FR307 Dual Channel Mosfet ไปข้างหน้า - 3.0 แอมแปร์

ชนิด: สวิทช์ DIODESOD
ลักษณะการทำงาน: การรั่วไหลย้อนกลับต่ำ
ขั้ว: แกนนำชุบ, ประสานได้ต่อ MIL-STD-750,
น้ำหนัก: 0.04 ออนซ์, 1.10 กรัม

FR601 THRU FR607 Mosfet กระแสความถี่สูงไปข้างหน้า - 6.0 แอมแปร์

ชนิด: สวิทช์ DIODESOD
ตำแหน่งการติดตั้ง: ความสามารถในการกระชากไปข้างหน้าสูง
น้ำหนัก: 0.072ounce, 2.05grams
กระแสไฟฟ้า: แถบสีหมายถึงปลายแคโทด

FR301 THRU FR307 โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ Mosfet, Mosfet พลังงานไฟฟ้าแรงสูง

ทรานซิสเตอร์พลังงาน Mosfet

ทิปพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์

ซิลิคอนพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์

Dual Switching Diode

ทรานซิสเตอร์สนามผลมอส

Mosfet ช่องทางคู่

วงจรเรียงกระแสการกู้คืนที่รวดเร็ว

Power Zener Diode

วงจรเรียงกระแส Schottky Bridge

ไดโอดวงจรเรียงกระแสไฟฟ้าแรงสูง

เซมิคอนดักเตอร์ Triode

IC ควบคุมแรงดันไฟฟ้า

FR301 THRU FR307 โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ Mosfet, Mosfet พลังงานไฟฟ้าแรงสูง

FR301 THRU FR307 โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ Mosfet, Mosfet พลังงานไฟฟ้าแรงสูง

โหมดเสริมประสิทธิภาพ mosfet

mosfet สองประตู

โหมดเสริมประสิทธิภาพ mosfet,

mosfet ความเร็วสูง,

mosfet สองประตู

การกู้คืนที่รวดเร็ว Dual Channel Mosfet Rs1a ถึง Rs1m Surface Mount

RS2A THRU RS2M Mosfet ไฟฟ้าคู่, แรงดันสูง Mosfet 0.002 ออนซ์ 0.002 ออนซ์ 0.07 กรัม 0.07 กรัม

RS3A THRU RS3M Dual Channel Mosfet 250 C / 10 วินาทีที่หน้าจอ

กระแส FR301 THRU FR307 Dual Channel Mosfet ไปข้างหน้า - 3.0 แอมแปร์

FR601 THRU FR607 Mosfet กระแสความถี่สูงไปข้างหน้า - 6.0 แอมแปร์

ทรานซิสเตอร์พลังงาน Mosfet

HXY4616 ลอจิกระดับทรานซิสเตอร์, ทรานซิสเตอร์แรงดันสูง 30V MOSFET เสริม

HXY4616 Mosfet ทรานซิสเตอร์พลังงาน± 20v VGS แรงดันสูง VDS 40V VGS ± 20v

20G04S 40 โวลต์ Mosfet ทรานซิสเตอร์พลังงาน N + P โหมดการปรับปรุงช่องทาง MOSFET