ขออ้าง |
บ้าน ผลิตภัณฑ์ทรานซิสเตอร์สนามผลมอส

G40N10 100 โวลต์ Mosfet ทรานซิสเตอร์พลังงาน N Channel ทรานซิสเตอร์เปลี่ยนอย่างรวดเร็ว

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

ทรานซิสเตอร์พลังงาน Mosfet

(118)

ทิปพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์

(30)

ซิลิคอนพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์

(19)

Dual Switching Diode

(15)

ทรานซิสเตอร์สนามผลมอส

(29)

Mosfet ช่องทางคู่

(10)

วงจรเรียงกระแสการกู้คืนที่รวดเร็ว

(6)

Power Zener Diode

(6)

วงจรเรียงกระแส Schottky Bridge

(10)

ไดโอดวงจรเรียงกระแสไฟฟ้าแรงสูง

(15)

เซมิคอนดักเตอร์ Triode

(9)

IC ควบคุมแรงดันไฟฟ้า

(14)
ได้รับการรับรอง
ประเทศจีน Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd รับรอง
ประเทศจีน Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd รับรอง
ความคิดเห็นของลูกค้า
เราร่วมมือกับ Hua Xuan Yang เป็นส่วนใหญ่เนื่องจากความเป็นมืออาชีพของพวกเขากระตือรือร้นที่จะตอบสนองต่อการปรับแต่งของผลิตภัณฑ์ที่เราต้องการการตั้งถิ่นฐานของทุกความต้องการของเราและเหนือสิ่งอื่นใดพวกเขาให้บริการที่มีคุณภาพ

—— —— Jason จากแคนาดา

ภายใต้คำแนะนำของเพื่อนของฉันเรารู้เกี่ยวกับ Hua Xuan Yang ผู้เชี่ยวชาญอาวุโสในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์และชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ซึ่งทำให้เราสามารถลดเวลาอันมีค่าของเราและไม่ต้องลองโรงงานอื่น ๆ

—— —— Викторจากรัสเซีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

G40N10 100 โวลต์ Mosfet ทรานซิสเตอร์พลังงาน N Channel ทรานซิสเตอร์เปลี่ยนอย่างรวดเร็ว

G40N10 100 โวลต์ Mosfet ทรานซิสเตอร์พลังงาน N Channel ทรานซิสเตอร์เปลี่ยนอย่างรวดเร็ว
G40N10 100 โวลต์ Mosfet ทรานซิสเตอร์พลังงาน N Channel ทรานซิสเตอร์เปลี่ยนอย่างรวดเร็ว

ภาพใหญ่ :  G40N10 100 โวลต์ Mosfet ทรานซิสเตอร์พลังงาน N Channel ทรานซิสเตอร์เปลี่ยนอย่างรวดเร็ว

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: เซินเจิ้นประเทศจีน
ชื่อแบรนด์: Hua Xuan Yang
ได้รับการรับรอง: RoHS、SGS
หมายเลขรุ่น: G40N10
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1,000-2,000 ชิ้น
ราคา: Negotiated
รายละเอียดการบรรจุ: ชนิดบรรจุกล่อง
เวลาการส่งมอบ: 1 - 2 สัปดาห์
เงื่อนไขการชำระเงิน: L / CT / T Wester N Union
สามารถในการผลิต: 18,000,000 ชิ้น / ต่อวัน
ติดต่อ

G40N10 100 โวลต์ Mosfet ทรานซิสเตอร์พลังงาน N Channel ทรานซิสเตอร์เปลี่ยนอย่างรวดเร็ว

ลักษณะ
ชื่อสินค้า: ทรานซิสเตอร์พลังงาน Mosfet อุณหภูมิทางแยก:: 150 ℃
วัสดุ: ซิลิคอน หมายเลขรุ่น: HXY2312
กรณี: เทป / ถาด / รีล ชนิด: ทรานซิสเตอร์ mosfet
แสงสูง:

ทรานซิสเตอร์กระแสสูง

,

ไดรเวอร์มอสเฟตโดยใช้ทรานซิสเตอร์

G40N10 100 โวลต์ Mosfet ทรานซิสเตอร์พลังงาน N Channel ทรานซิสเตอร์เปลี่ยนอย่างรวดเร็ว

สรุปผลิตภัณฑ์

G40N10 ใช้เทคโนโลยีขั้นสูงของเครื่องบินเพื่อมอบ RDS (ON) ที่ยอดเยี่ยมค่าเกตต่ำและการทำงานพร้อมแรงดันเกตที่ต่ำถึง 2.5V อุปกรณ์นี้เหมาะสำหรับใช้เป็นการป้องกันแบตเตอรี่หรือในแอปพลิเคชันการสลับอื่น ๆ

แท็ก:

ลอจิกมอสเฟตแบบลอจิกไดรเวอร์มอสเฟตโดยใช้ทรานซิสเตอร์,

ทรานซิสเตอร์กระแสสูง,

ไดรเวอร์มอสเฟตโดยใช้ทรานซิสเตอร์

รายละเอียดการติดต่อ
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

ผู้ติดต่อ: David

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ
60N06HX 60 โวลต์ Mos สนามผลทรานซิสเตอร์ N โหมดการเพิ่มช่องทาง MOSFET

60N06HX 60 โวลต์ Mos สนามผลทรานซิสเตอร์ N โหมดการเพิ่มช่องทาง MOSFET

ชื่อสินค้า: ทรานซิสเตอร์พลังงาน Mosfet

อุณหภูมิทางแยก:: 150 ℃

วัสดุ: ซิลิคอน

หมายเลขรุ่น: 60N06HX
60N03PIT 30V N Channel Mosfet Transistor, ทรานซิสเตอร์พลังงานสูง

60N03PIT 30V N Channel Mosfet Transistor, ทรานซิสเตอร์พลังงานสูง

ชื่อสินค้า: ทรานซิสเตอร์พลังงาน Mosfet

อุณหภูมิทางแยก:: 150 ℃

วัสดุ: ซิลิคอน

หมายเลขรุ่น: HXY2312
50N06P / T 60V Mos สนามผลทรานซิสเตอร์ซิลิคอนอุณหภูมิทางแยกวัสดุ 150 ℃

50N06P / T 60V Mos สนามผลทรานซิสเตอร์ซิลิคอนอุณหภูมิทางแยกวัสดุ 150 ℃

ชื่อสินค้า: ทรานซิสเตอร์พลังงาน Mosfet

อุณหภูมิทางแยก:: 150 ℃

วัสดุ: ซิลิคอน

หมายเลขรุ่น: 50N06P / T
18N20X 200V Mos Field Effect ทรานซิสเตอร์ค่าเกตต่ำสำหรับการสลับแอปพลิเคชัน

18N20X 200V Mos Field Effect ทรานซิสเตอร์ค่าเกตต่ำสำหรับการสลับแอปพลิเคชัน

ชื่อสินค้า: ทรานซิสเตอร์พลังงาน Mosfet

อุณหภูมิทางแยก:: 150 ℃

วัสดุ: ซิลิคอน

หมายเลขรุ่น: HXY2312
2N7002 โหมดการเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์สนามผล VDSS 20v ID 6.0 A

2N7002 โหมดการเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์สนามผล VDSS 20v ID 6.0 A

ชื่อสินค้า: ทรานซิสเตอร์พลังงาน Mosfet

อุณหภูมิทางแยก:: 150 ℃

วัสดุ: ซิลิคอน

หมายเลขรุ่น: HXY2312
เกี่ยวกับ

ทรานซิสเตอร์พลังงาน Mosfet

HXY4616 ลอจิกระดับทรานซิสเตอร์, ทรานซิสเตอร์แรงดันสูง 30V MOSFET เสริม

HXY4616 Mosfet ทรานซิสเตอร์พลังงาน± 20v VGS แรงดันสูง VDS 40V VGS ± 20v

20G04S 40 โวลต์ Mosfet ทรานซิสเตอร์พลังงาน N + P โหมดการปรับปรุงช่องทาง MOSFET

ทิ้งข้อความไว้

นโยบายความเป็นส่วนตัว | ประเทศจีน ดี คุณภาพ ทรานซิสเตอร์พลังงาน Mosfet ผู้ผลิต. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

ฝากข้อความ

เราจะโทรกลับหาคุณเร็ว ๆ นี้!