2N7002 โหมดการเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์สนามผล VDSS 20v ID 6.0 A

Name: 2N7002 โหมดการเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์สนามผล VDSS 20v ID 6.0 A
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 2N7002

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

ทรานซิสเตอร์พลังงาน Mosfet
(118)

ทิปพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์
(30)

ซิลิคอนพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์
(19)

Dual Switching Diode
(15)

ทรานซิสเตอร์สนามผลมอส
(29)

Mosfet ช่องทางคู่
(10)

วงจรเรียงกระแสการกู้คืนที่รวดเร็ว
(6)

Power Zener Diode
(6)

วงจรเรียงกระแส Schottky Bridge
(10)

ไดโอดวงจรเรียงกระแสไฟฟ้าแรงสูง
(15)

เซมิคอนดักเตอร์ Triode
(9)

IC ควบคุมแรงดันไฟฟ้า
(14)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

เราร่วมมือกับ Hua Xuan Yang เป็นส่วนใหญ่เนื่องจากความเป็นมืออาชีพของพวกเขากระตือรือร้นที่จะตอบสนองต่อการปรับแต่งของผลิตภัณฑ์ที่เราต้องการการตั้งถิ่นฐานของทุกความต้องการของเราและเหนือสิ่งอื่นใดพวกเขาให้บริการที่มีคุณภาพ

—— —— Jason จากแคนาดา

ภายใต้คำแนะนำของเพื่อนของฉันเรารู้เกี่ยวกับ Hua Xuan Yang ผู้เชี่ยวชาญอาวุโสในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์และชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ซึ่งทำให้เราสามารถลดเวลาอันมีค่าของเราและไม่ต้องลองโรงงานอื่น ๆ

—— —— Викторจากรัสเซีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

2N7002 โหมดการเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์สนามผล VDSS 20v ID 6.0 A

ภาพใหญ่ : 2N7002 โหมดการเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์สนามผล VDSS 20v ID 6.0 A

รายละเอียดสินค้า:

สถานที่กำเนิด:	เซินเจิ้นประเทศจีน
ชื่อแบรนด์:	Hua Xuan Yang
ได้รับการรับรอง:	RoHS、SGS
หมายเลขรุ่น:	2N7002

การชำระเงิน:

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ:	1,000-2,000 ชิ้น
ราคา:	Negotiated
รายละเอียดการบรรจุ:	ชนิดบรรจุกล่อง
เวลาการส่งมอบ:	1 - 2 สัปดาห์
เงื่อนไขการชำระเงิน:	L / CT / T Wester N Union
สามารถในการผลิต:	18,000,000 ชิ้น / ต่อวัน

ติดต่อ

2N7002 โหมดการเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์สนามผล VDSS 20v ID 6.0 A

ลักษณะ

ชื่อสินค้า:	ทรานซิสเตอร์พลังงาน Mosfet	อุณหภูมิทางแยก::	150 ℃
วัสดุ:	ซิลิคอน	หมายเลขรุ่น:	HXY2312
กรณี:	เทป / ถาด / รีล	ชนิด:	ทรานซิสเตอร์ mosfet
แสงสูง:	ทรานซิสเตอร์กระแสสูง , สวิทช์ mosfet แบบลอจิก