|
รายละเอียดสินค้า:
|
| ชื่อสินค้า: | ทรานซิสเตอร์พลังงาน Mosfet | อุณหภูมิทางแยก:: | 150 ℃ |
|---|---|---|---|
| วัสดุ: | ซิลิคอน | หมายเลขรุ่น: | HXY4410 |
| กรณี: | เทป / ถาด / รีล | ชนิด: | ทรานซิสเตอร์ mosfet |
| แสงสูง: | ลอจิกมอสเฟตแบบลอจิกไดรเวอร์มอสเฟตโดยใช้ทรานซิสเตอร์,mosfet driver using transistor |
||
สรุปผลิตภัณฑ์
V DS (V) = 30V
I = 18A
D
R DS (ON) < 11m Ω (V GS = 10V)
R DS (ON) <19m Ω (V GS = 4.5V)
คำอธิบายทั่วไป
HXY4410 ใช้เทคโนโลยีสลักขั้นสูงเพื่อ
ให้ RDS ที่ยอดเยี่ยม (ON), ภูมิคุ้มกันการยิงทะลุ,
ลักษณะของร่างกายไดโอดและเกตต่ำ
ความต้านทาน อุปกรณ์นี้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับใช้เป็น
สวิตช์ด้านข้างต่ำในพลัง CPU หลักของโน้ตบุ๊ค
การแปลง
ลักษณะ ไฟฟ้า (T = 25 ° C เว้นแต่จะ ระบุไว้เป็น อย่างอื่น )
A. ค่าของ R θ JA นั้นวัดด้วยอุปกรณ์ที่ติดตั้งบนบอร์ด 1in 2 FR-4 ที่มี 2oz ทองแดงในสภาพอากาศนิ่งที่มี T A = 25 ° c
มูลค่าในแอปพลิเคชันที่กำหนดขึ้นอยู่กับการออกแบบบอร์ดเฉพาะของผู้ใช้
B. การกระจายพลังงาน P D ขึ้นอยู่กับ T J (สูงสุด) = 150 ° C โดยใช้การต้านทานความร้อนจากจุดต่อแยก amb 10 วินาที
C. คะแนนซ้ำความกว้างพัลส์ จำกัด ตามอุณหภูมิทางแยก T J (สูงสุด) = 150 ° C การให้คะแนนขึ้นอยู่กับความถี่ต่ำและรอบการทำงาน
เริ่มต้น T = 25 ° C
D. R θ JA คือผลรวมของความต้านทานความร้อนจากจุดเชื่อมต่อเพื่อนำไปสู่ Rθ JL และนำไปสู่สภาพแวดล้อม
E. ได้รับลักษณะคงที่ในรูปที่ 1 ถึง 6 โดยใช้ <พัลส์น้อยกว่า 300 รอบการทำงานสูงสุด 0.5%
F. ส่วนโค้งเหล่านี้ขึ้นอยู่กับความต้านทานความร้อนแบบจังค์ - ทู - แอมเบียนต์ซึ่งวัดด้วยอุปกรณ์ที่ติดตั้งบนบอร์ด 1in 2 FR-4 พร้อม
2oz ทองแดงสมมติว่าอุณหภูมิทางแยกสูงสุดของ T J (MAX) = 150 ° C SOA curve ให้คะแนนการเต้นของชีพจรเดียว
G. รอบหน้าที่ขัดขวางสูงสุด 5% สูงสุดถูก จำกัด โดยอุณหภูมิทางแยก TJ (สูงสุด) = 125 ° C
ลักษณะทั่วไปทาง ไฟฟ้า และ ความร้อน
ผู้ติดต่อ: David
